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河北慧采科技有限公司
丹江口igbt模块封装形式,半桥子模块,区别是什么?
  • 丹江口igbt模块封装形式,半桥子模块,区别是什么?

丹江口igbt模块封装形式,半桥子模块,区别是什么?

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电议

  • 品牌:润联科技
  • 型号:2015款
  • 发布日期:2017/5/14 11:48:40
  • 支持批发采购
河北 石家庄
经营模式:生产型

主营:煮面炉+双头煮面炉+保温煮面炉+燃气煮面炉

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  • 经营模式:
    生产型
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    河北 石家庄 河北省邢台市桥东区泉南大街唐宁10号B座
    主营产品:
    煮面炉+双头煮面炉+保温煮面炉+燃气煮面炉
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产品名称: 丹江口igbt模块封装形式,半桥子模块,区别是什么? 价格: 电议
所属类别: 新品 发货期: 1天内
发货地: 河北-石家庄 品牌: 润联科技
型号: 2015款 供货量: 200台

标题:丹江口igbt模块封装形式,半桥子模块,区别是什么?


丹江口igbt模块封装形式,半桥子模块,区别是什么?多种型号图片


型号:JX185679InternationalRectifierAUIRF3205N沟道MOSFET晶体管75A110AVds=55V3针TO-220AB封装 型号:JX184570SKM200GB126DN通道IGBT模块半桥260A1200V7针SEMITRANS3封装 型号:JX184487InternationalRectifierIRG4PH20KDPBFN沟道IGBT晶体管11AVce=1200V3针TO-247AC封装

【温馨提示】
本公司产品因产品种类繁多,详细配置价格请致电咨询!
[河北润创科技公司]——是集科研、开发、制造、经营于一体,的工程试验仪器 制造实体。公司主要经营砼混凝土仪器,水泥试验仪器,砂浆试验仪器,泥浆试验仪器,土工试验仪器,沥青试验仪器,公路集料仪器,防水材料仪器,公路岩石仪器,路面试验仪器,压力试验机养护室仪器及实验室耗材等上百种产品。 在以雄厚的技术底蕴在强化自主开发的同时,积极采用国内外技术标准,寻求推进与大专院校,科研单位的协作互补,以实现新产品开发的高起点,在交通部、建设部及科研所专家们的指导下,产品不断完善,不断更新。已广泛用于建材,建筑施工,道桥建设,水电工程和机械,交通、石油、化工等领域的质量检测。并同国内外各试验仪器厂建立了长期合作关系,严把质量关,价格更优惠! 公司拥有现代化钢构仓库4000多平方米,并配备业内的?干枋盗境鋈敕奖悖挚夤芾硎迪直曜蓟⒏咝Щ芾恚繁R瞧魃璞覆欢匣酢? 众多众多知名试验仪器及测量、测绘电子厂家直供,国内外一线知名仪器汇聚于此,更是众多新品上线网购平台的之地。全国服务队伍 快捷服务,完善的呼叫中心服务体系,咨询热线:[牛经理400-076-1255]迅速解决客户问题, 提供优质高效的售后服务。 润联为您提供详细的产品价格、产品图片等产品介?畔ⅲ梢灾 恿党Ъ一袢〔返木咛遄柿希凳鼻胨得魇窃谌罅吹降模⒏嬷秃?br>【关于合作】
我们本着精益求精、经销诚实守信、服务热情周到的服务宗旨和协助伙伴成就事业从而成就自己的事业的立业精神,为客戶提供卓越?分屎头瘛R虿分掷喽?没有一一上传,如有需要,请联系我们。
【关于发货】
我们会在确认合作方式以及合作达成时为您发货考虑到成本的因素,我们一般采用物流发货,不过请您放心,因为我们的外地客户非常之多,基本上我们业务已经覆盖全国,所以物流公司都是我们精心筛选的,不管是发货时间,还是价格都是满意的,同时我们在交付物流公司后将在时间告知客户,并且我们会将物流费用一并告知发货打包我们都有专人严格检查商品的质量的,请放心购买。

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丹江口igbt模块封装形式,半桥子模块,区别是什么?多种型号内容


型号:JX185679InternationalRectifierAUIRF3205N沟道MOSFET晶体管75A110AVds=55V3针TO-220AB封装

产品详细信息
汽车 N 通道功率 MOSFET,

的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线爱乐透彩票封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供系统效率。

MOSFET 晶体管,

全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

产品技术参数
通道类型N
连续漏极电流75 A, 110 A
漏源电压55 V
漏源电阻值0.008 Ω
栅阈值电压4V
小栅阈值电压2V
栅源电压±20 V
封装类型TO-220AB
安装类型通孔
引脚数目3
通道模式增强
类别功率 MOSFET
功率耗散200 W
配置
工作温度+175 °C
长度10.67mm
尺寸10.67 x 4.83 x 9.02mm
宽度4.83mm
每片芯片元件数目1
典型关断延迟时间50 ns
高度9.02mm
工作温度-55 °C
典型栅极电荷@Vgs146 nC@ 10 V
典型输入电容值@Vds3247 pF@ 25 V
典型接通延迟时间14 ns

栏目页面:/product/
分立半导体
来源网址:/chanpin/
InternationalRectifierAUIRF3205N沟道MOSFET晶体管75A110AVds=55V3针TO-220AB封装
型号:JX184570SKM200GB126DN通道IGBT模块半桥260A1200V7针SEMITRANS3封装

产品详细信息
双 IGBT 模块

SEMIKRON 提供 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)模块,采用具有不同拓扑、电流和电压额定值的 SEMITRANS、SEMiX 和 SEMITOP 封装。

IGBT 模块,

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

产品技术参数
配置半桥
连续集电极电流260 A
电极-发射极电压1200 V
栅极发射极电压±20V
通道类型N
安装类型螺丝安装
封装类型SEMITRANS?3
引脚数目7
尺寸106.4 x 61.4 x 30mm
高度30mm
长度106.4mm
工作温度+150 °C
工作温度-40°C
宽度61.4mm

栏目页面:/product/
分立半导体
来源网址:/chanpin/
SKM200GB126DN通道IGBT模块半桥260A1200V7针SEMITRANS3封装
型号:JX184487InternationalRectifierIRG4PH20KDPBFN沟道IGBT晶体管11AVce=1200V3针TO-247AC封装

产品详细信息
高达 20A 的单 IGBT,

优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供的 IGBT 性能

IGBT 晶体管,International Rectifier

提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要可靠性的模块,可使用可焊接前部 (SFM) 压模来消除连接线爱乐透彩票,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。

产品技术参数
连续集电极电流11 A
电极-发射极电压1200 V
栅极发射极电压±20V
功率耗散60 W
封装类型TO-247AC
安装类型通孔
通道类型N
引脚数目3
配置
长度15.87mm
宽度5.31mm
高度20.7mm
尺寸15.87 x 5.31 x 20.7mm
工作温度+150 °C
工作温度-55 °C

栏目页面:/product/
分立半导体
来源网址:/chanpin/
InternationalRectifierIRG4PH20KDPBFN沟道IGBT晶体管11AVce=1200V3针TO-247AC封装


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PMBF170215N沟道MOSFET晶体管0.3AVds=60V3针TO-236AB封装InternationalRectifierAUIRF3205N沟道MOSFET晶体管75A110AVds=55V3针TO-220AB封装IXFH88N30PN沟道MOSFET晶体管和二极管88AVds=300V3针TO-247封装IPD30N06S2L-13N沟道MOSFET晶体管30AVds=55V3针TO-252封装SKM200GB126DN通道IGBT模块半桥260A1200V7针SEMITRANS3封装InternationalRectifierIRG4PH20KDPBFN沟道IGBT晶体管11AVce=1200V3针TO-247AC封装
联系方式:电话:400-076-1255

供应商信息

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